三星研发新型LLW DRAM存储器，满足AI时代高性能内存需求

1月12日消息，随着人工智能技术的迅猛发展，市场对于高性能内存的需求日益迫切。为满足特定应用的需求，三星正积极推出全新的存储组合产品。

三星目前正在研发一款名为LLW DRAM的新型存储器，该产品融合了高带宽、低延迟和低功耗等诸多优势。据悉，LLW DRAM主要针对需要运行大型语言模型(LLM)的设备进行优化，未来有望广泛应用于各种客户端工作负载中。

据本站了解，LLW DRAM在性能方面表现出色，其宽I/O、低延迟的特性使得每个模块/堆栈能够提供高达128GB/s的带宽，这与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相当。同时，该产品还具备超低功耗的特性，每比特能耗仅为1.2pJ，但三星方面并未透露在此功耗下的具体数据传输速率。

在设计方面，LLW DRAM有望借鉴GDDR6W的设计理念，并采用先进的扇出晶圆级封装(FOWLP)技术，将多个DRAM芯片集成到一个封装中，从而实现更高的集成度和更优的性能。

目前，三星已经公布了LLW DRAM的预期性能细节。根据以往经验判断，这款产品很可能已经接近尾声阶段，相信不久后将正式与广大消费者见面。